スピードファムは、歩留り向上に寄与する、デバイスウェーハ向けエッジポリッシャーを300mm、200mm、150mmウェーハ用にラインナップしています。

ベアシリコンウェーハは表面だけでなくエッジ部も鏡面化され出荷されますが、エッジ部にはデバイスの工程が進行するに従い、絶縁膜やメタル膜の成膜・剥離による汚染、異物付着や傷の発生、金属・有機汚染等が発生します。こういった汚染源のウェーハ表面への回り込みや傷やピットで、前工程（FEOL）では半導体素子部の欠陥、後工程（BEOL）では配線の欠陥として、チップ歩留りが低下していると考えられています。 特に、ウェーハ外周近傍のチップはエッジ部から剥離した異物の影響を受けやすいと言われます。

また、 配線の微細化に伴い、配線ピッチ65nm以降では、パーティクルはもとより、FEOLで素子作成の為に新たに採用された金属などがウェーハ全面に成膜されるため、ウェーハエッジの下べべル側にも回り込んで、Cuと同様に汚染源となる可能性も指摘され、エッジ部のクリーン度が注目されています。

これらエッジ部の異物をメカノケミカルポリッシュによって除去し、さらに同装置内で洗浄することで、ベアシリコンウェーハ投入時と同様のエッジ状態を保つ事ができます。デバイスの品種によりプロセス条件や装置仕様を決定する必要がありますが、エッチング工程、成膜工程やアニール工程、CMP工程の前後にエッジポリッシュを採用する事で効果が大きくなるものと期待されています。

エッジポリッシャーの最新モデルは、エッジ部3面を同時に加工する研磨機構を有し、これ以上の加工速度、品質を得る方法は他に無いと言える程の究極のエッジ加工方式となっています。 また、オリフラ部またはノッチ部の研磨ユニット、および薬液洗浄ユニットを本体にインテグレートし、ドライイン・ドライアウトの装置として完成しました。

300mm用（型式：EPD-300-X）は、12月4日（水）から幕張メッセで開催される展示会「SEMICON Japan 2002」に実機展示します。 異物除去に効果があるデバイスエッジポリッシュ専用のスラリー、研磨パッドも販売しています。