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Edge Grinder

エッジグラインダは、材料基板の外周部を所定の形状に研削加工する装置です。シリコン、サファイア、酸化物、SiC、金属など、多様な材料基板対応した、充実のラインナップです。簡便な操作性、高いメンテナンス性も特徴です。

WIFG-300
WIFG-300

200mm~300mm基板向けエッジグラインダ。省スペースで、高品位の加工を実現します。

  1. 2カセット、「C to C」に対応
  2. 外周部インフィード研削による高品位(#3000)加工は、シリコンウェーハに最適
UH-I-8100/UH-I-8800
UH-I-8100/UH-I-8800

4"~8"基板向けエッジグラインダです。エッジグラインディング後の高精度なオリフラ方位を実現します。UH-I-8800は、2軸研削加工の高機能・高スループット装置です。

  1. 2カセット、「C to C」に対応
  2. UH-I-8100は1軸、UH-I-8800は、2軸研削の高性能モデル
UH-I-6600
UH-I-6600

3"~6"基板向けエッジグラインダです。2軸研削加工の高機能・高スループット装置です。

  1. 2軸研削により、UH-I-6200Aに比べ、タクトタイムを短縮
  2. チッピング自動測定機能
  3. 最大、IN側8カセット・OUT側8カセット+NGカセット
UH-I-6200A
UH-I-6200A

3"~6"基板向けエッジグラインダです。高品質での生産性向上を実現する高スループット装置です。

  1. UH-I-4102/ UH-I-4101に比べ、タクトタイムを短縮
  2. 4または8カセット、「C back C」に対応
  3. 研削後の基板を洗浄・乾燥
  4. 200μm前後の薄いウェーハにも対応します。
UH-I-4102 / UH-I-4101
UH-I-4102 / UH-I-4101

2"~4"または3"~6"の小径基板に向けベーシックモデルです。エッジグラインディング後の高精度なオリフラ方位を実現します。

  1. UH-I-4102は3"~6"基板向けで、最大8カセットに対応
  2. UH-I-4101は2"~4"基板向けで、最大20カセットに対応
  3. 加工対象ワークは、Si、InP、GaAs、SiC、サファイア、酸化物、水晶、LBO、MgOなど
  4. オリフラの方位制度は、±0.03°

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